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IRF6633中文资料

IRF6633图片

IRF6633外观图

  • 大小：266.71KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：DirectFET Power MOSFET
  • 典型关断延迟时间：12 ns
  • 典型接通延迟时间：9.7 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：11 nC V @ 4.5
  • 典型输入电容值@Vds：1250 pF V @ 10
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：5.05mm
  • 封装类型：DirectFET MP
  • 尺寸：5.45 x 5.05 x 0.6mm
  • 引脚数目：7
  • 最低工作温度：-40 °C
  • 最大功率耗散：2300 mW
  • 最大栅源电压：±20 V
  • 最大漏源电压：20 V
  • 最大漏源电阻值：0.006
  • 最大连续漏极电流：16 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：双源、四漏极、单
  • 长度：5.45mm
  • 高度：0.6mm

IRF6633供应商

更新时间:2023-01-19 18:38:35
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